[发明专利]一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法在审
| 申请号： | 202011043570.0 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN112140375A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张德;刘鑫博;孟国天 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/02;B28D7/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅晶片的多线切割系统及切割方法，其中，所述碳化硅晶片的多线切割系统，包括：固定平台；切割平台，与所述固定平台连接，所述切割平台用于将碳化硅晶体切割成碳化硅晶片；张力调控机构，通过钢线网与所述切割平台连接，所述张力调控机构用于调节所述钢线网的张力；切削液喷嘴，连接在所述固定平台上，所述切削液喷嘴用于将切削液喷洒到所述切割平台上；循环监控池，与所述切割平台连接；冷却系统，与所述切割平台和所述循环监控池连接。本发明能够提高晶片质量，有利于统一碳化硅晶片的面型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 切割 系统 方法 | ||
【主权项】：
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