[发明专利]一种KH2在审

专利信息
申请号: 202011045463.1 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN112213173A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 王圣来;徐龙云;余波;刘慧;张力元;王波 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: G01N1/32 分类号: G01N1/32
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 杨磊
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种KH2PO4晶体{101}晶面产生清晰位错蚀坑的方法,属于晶体表征技术领域。切割得到KDP晶面样品,对样品正反面进行抛光备用。配置74%~76%含水量的水‑乙醇混合溶液作为晶体腐蚀液,室温下将晶体样品置于该腐蚀液中并保持10~20s,取出后使用该腐蚀液对晶体表面抛光2~4s,抛光机转速设置在120~200r/min,将晶体表面的溶液擦拭干净并烘干,在光学显微镜和3D激光共聚焦显微镜下观察处理好的晶体表面,得到清晰的位错蚀坑照片。
搜索关键词: 一种 kh base sub
【主权项】:
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