[发明专利]用于高功率半导体器件的射流冲击冷却在审
| 申请号： | 202011046479.4 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112652586A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | J·E·盖勒维 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/433;H01L23/473 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 郭万方 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于高功率半导体器件的射流冲击冷却。本公开提供了一种用于半导体器件的射流冲击冷却组件，该射流冲击冷却组件包括热交换基部，该热交换基部具有入口室和出口室。入口连接可与该入口室流体连接，而出口连接可与该出口室流体连接。射流板可耦接到该入口室，并且射流基座可形成在该射流板上并具有凸起表面，该凸起表面中形成有射流喷嘴。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 半导体器件 射流 冲击 冷却 | ||
【主权项】：
暂无信息
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