[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011046924.7 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114335330A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 夏文斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成辅助层；形成贯穿所述辅助层的通孔；在所述通孔中和辅助层上形成磁隧道结叠膜结构，所述磁隧道结叠膜结构位于所述通孔底部的部分作为叠膜底部；去除高于所述叠膜底部顶面的磁隧道结叠膜结构；去除高于所述叠膜底部顶面的磁隧道结叠膜结构后，去除所述辅助层，剩余所述磁隧道结叠膜结构用于形成磁隧道结叠层结构。本发明实施例有利于提高磁隧道结叠层结构的侧壁陡直度和关键尺寸一致性，且有利于对所述磁隧道结叠层结构的关键尺寸进行精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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