[发明专利]具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件有效
| 申请号： | 202011051349.X | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112701153B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | M·黑尔;R·埃尔佩尔特;C·莱恩德茨;D·彼得斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了具有注入拖尾补偿区的碳化硅器件。一种半导体器件的SiC衬底，包括：第一导电类型的漂移区；具有与SiC衬底的第一表面邻接的沟道区的第二导电类型的本体区；与沟道区的第一端部邻接的第一导电类型的源极区；在本体区的与源极区相对的一侧处并且竖向地延伸到漂移区的第一导电类型的延伸区；在本体区下方并且具有朝向第一表面延伸并且与延伸区邻接的拖尾的第二导电类型的掩埋区；以及第一导电类型的补偿区，其沿着第一表面从延伸区突出到本体区中并且终止于沟道区的与第一端部相对的第二端部处。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 注入 补偿 碳化硅 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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