[发明专利]一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011052522.8 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112234097B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 黄永清;杨丹;刘凯;段晓峰;杜嘉薇;王俊;王琦;任晓敏;蔡世伟 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/10;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 陈征 |
| 地址： | 100876 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 特意 掺杂 iii 半导体 欧姆 接触 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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