[发明专利]一种切片单晶硅电池的制备方法在审
| 申请号： | 202011053887.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112054096A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 高纪凡;吴佳璐;王尧;陈达明;陈奕峰;刘成法;邹杨;邵卫晶;王倩;龚剑;刘宗涛 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/068;B23K26/38 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体硅太阳电池领域，涉及一种切片单晶硅电池的制备方法，先将硅片用激光沿着垂直于硅片拉丝线痕方向的中心线进行切割，然后将硅片裂开，得到半片硅片，再将半片硅片制作成成品电池。本发明可以显著减弱由于激光切割导致的成品太阳能电池填充因子下降，减少切半效率损失，提高切半组件的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切片 单晶硅 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
