[发明专利]存储器设备及其制造方法

摘要

本公开的实施例涉及存储器设备及其制造方法。一种存储设备和一种制造存储设备的方法，存储器设备包括：堆叠结构，具有在堆叠结构中的单元区域和缩减区域，并且通过交替地堆叠绝缘层和导电层而形成；垂直沟道结构，被形成为穿过单元区域中的堆叠结构；支撑结构，被形成为穿过缩减区域中的堆叠结构，并且具有不同高度，该不同高度取决于缩减区域的堆叠高度，支撑结构中的每个支撑结构具有垂直沟道结构；防蚀刻层，形成在堆叠结构之上并且包括碳；以及接触插塞，被形成为穿过防蚀刻层并且被耦合到导电层。