[发明专利]提升器件关键尺寸面内均一性的方法有效
| 申请号： | 202011056562.X | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112180690B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 黄正;李斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及提升器件关键尺寸面内均一性的方法，涉及半导体集成电路制造技术，在第二光罩应用于光刻工艺之前，根据已经在使用的第一光罩对应的光刻机的曝光程式补偿数据以及第一光罩与所述第二光罩之间对应的位置的图形尺寸的差提前获得第二光罩对应的光刻机的曝光程式的预补偿数据，以使在第二光罩开始应用于光刻工艺时就进行相应的曝光程式补偿，避免光罩进厂之后，进行试跑，量测干刻后的最终的关键尺寸等数据的工艺流程后再进行补偿，因此避免了曝光程式补偿空档期，并避免了该空档期内产生晶圆报废的概率，而提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 器件 关键 尺寸 均一 方法 | ||
【主权项】：
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