[发明专利]后栅工艺中多晶硅伪栅顶部的硬质掩膜层的回刻方法在审
| 申请号： | 202011056627.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114334824A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 傅士栋;黄然;蒋博翰;徐莹 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种后栅工艺中多晶硅伪栅顶部的硬质掩膜层的回刻方法，包括步骤：步骤一、形成多个伪栅极结构；步骤二、沉积旋涂碳层将伪栅极结构之间的间隔区完全填充并延伸到各伪栅极结构的表面上方；步骤三、进行无光罩定义的第一次回刻对旋涂碳层进行刻蚀；步骤四、以旋涂碳层为掩膜进行第二次回刻对硬质掩膜层进行刻蚀以及同时对硬质掩膜层两侧的侧墙进行同步刻蚀；步骤五、去除旋涂碳层。本发明能降低工艺复杂性和控制难度，能提高工艺窗口，能节省光罩以及能减少对器件的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 多晶 硅伪栅 顶部 硬质 掩膜层 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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