[发明专利]半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器在审
| 申请号： | 202011057546.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114335338A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 杜永好 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构制造方法、半导体结构及存储器，属于半导体技术领域。该半导体结构制造方法包括提供衬底；在衬底上形成下电极；在下电极表面形成电容介电层，电容介电层包括至少一层氧化锆层；对电容介电层进行微波退火处理，以改变氧化锆的晶相至四方晶相；在电容介电层表面形成上电极。本公开提供的半导体结构的制造方法，对电容介电层进行微波退火处理，微波退火处理可以改变氧化锆的晶相，使得氧化锆由单斜晶相转变为四方晶相，从而提高氧化锆的介电常数，提高半导体结构的电容量。本公开，在更不换电容介电层材料的基础上，仅仅通过微波退火处理使电容介电层的介电常数增加，该方法工艺简单、成本低，具有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011057546.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：候选人的筛选方法、装置、电子设备及计算机存储介质
- 下一篇：增亮膜
