[发明专利]铌酸锂薄膜超晶格的制备方法有效
| 申请号： | 202011060218.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112195520B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 尹志军;崔国新;叶志霖;许志城 | 申请（专利权）人： | 南京南智先进光电集成技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B29/30;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种铌酸锂薄膜超晶格的制备方法，包括：1)制备套刻标记；2)根据套刻标记，在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性叉指电极结构；3)在光刻好的叉指电极结构上镀金属电极；4)去除光刻胶，得到周期性叉指电极；5)在一侧叉指电极上接入电极正极，另一侧叉指电极接地，施加电场，使得叉指电极之间畴翻转，去除电极，得到第一周期性畴翻转结构；6)将套刻标记向右平移一个周期的距离，重复步骤2)～5)，得到第二周期性畴翻转结构；7)重复执行步骤6)，直至得到的所有畴翻转结构之间的间距相等，完成制备。采用前述的方案，采用多次套刻，多次电场极化，在x切的铌酸锂薄膜表面制备周期性的电极，制备出畴壁与z轴垂直的畴结构。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂 薄膜 晶格 制备 方法 | ||
【主权项】：
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