[发明专利]含有增强元胞设计的功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 202011060377.8 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112234095B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 任娜 | 申请（专利权）人： | 济南星火技术发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘德顺 |
| 地址： | 250118 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了含有增强元胞设计的功率MOSFET器件，用以解决如何在不改变器件工艺流程和成本，以及不牺牲较多其他性能的条件下，降低栅极氧化物中的电场强度的技术问题。本申请中的功率MOSFET器件包括：具有第一导电类型的外延层；若干个具有第二导电类型的第一区域，均匀分布于外延层的上表面，且各第一区域分别与外延层形成第一PN结；若干个具有第二导电类型的中央注入结构，均匀分布于JFET区域内；JFET区域由任意两个相邻的第一区域之间的空隙构成；其中，若干个中央注入结构为圆形或者正多边形。本申请通过中央注入结构，实现了电场屏蔽，进而降低了栅极氧化物中的电场强度，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 增强 设计 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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