[发明专利]发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 202011061544.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112186080B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;梅劲 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；在衬底上生长N型层包括：在衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层，其中，在高温低温交替的条件下，以第一转速生长第一N型层，在低温条件下，以第二转速生长第二N型层；第一转速大于第二转速，第一N型层中Si的掺杂浓度大于第二N型层中Si的掺杂浓度。采用该生长方法可以改善外延片的翘曲，使得后续有源层生长过程中，In源能够均匀分布在外延片上，发光二极管最终的各项参数的一致性更好。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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