[发明专利]一种端面耦合器及其封装方法、应用在审

专利信息
申请号: 202011062486.3 申请日: 2020-09-30
公开(公告)号: CN112285828A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G02B6/132 分类号: G02B6/132;G02B6/30
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 金铭
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种端面耦合器及其封装方法、应用。一种端面耦合器的封装方法,包括:在SOI片上形成端面耦合器;在端面耦合器设有沟槽开口的表面等离子体增强化学气相沉积氧化硅;进行后续封装工序。本发明利用PECVD的低台阶覆盖率特点对端面耦合器的沟槽开口封口,解决了后续封装材料填充堵塞沟槽导致器件失效的问题。
搜索关键词: 一种 端面 耦合器 及其 封装 方法 应用
【主权项】:
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