[发明专利]半导体结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构，包括：基底；第一介质层，第一介质层位于基底的上表面；电容，电容沿第一介质层厚度方向贯穿第一介质层，并延伸至第一介质层的上表面，且与选择开关晶体管的漏极电连接；第二介质层，位于第一介质层上表面；第一金属层，位于第二介质层的上表面；第一导电插塞，位于导电金属层的上表面并与导电金属层电连接；第三介质层，位于第二介质层的上表面；第二金属层，第二金属层包括位线，位于第三介质层的上表面，且与板线金属层电连接。本申请使得电容面积脱离半导体器件面积的限制，在单位微缩的情况下仍能够保持足够大的电容，极大提升单元存储性能。