[发明专利]一种PBn型InAsSb红外探测器材料在审
| 申请号： | 202011065080.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112331738A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 邓功荣;杨文运;龚晓霞;肖婷婷;杨绍培;宋欣波;范明国;袁俊;赵鹏;黄晖 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 周蜜 |
| 地址： | 650223 *** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PBn型InAsSb红外探测器材料，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为100nm～300nm厚的顶电极接触层、100nm～200nm厚的势垒层、2000nm～3000nm厚的吸收层、200nm～500nm厚的底电极接触层、50nm～200nm厚的缓冲层以及衬底。所述材料制成的红外探测器暗电流小，探测器的背景限温度提高，降低了红外探测器组件对制冷的要求，以此减小整体的体积、重量、功耗以及成本，可以提升系统可靠性，延长系统寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pbn inassb 红外探测器 材料 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
