[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202011065419.7 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112366256B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层。有源层包括靠近N型层的a个第一量子垒层、靠近P型层的b个第三量子垒层、以及位于a个第一量子垒层和b个第三量子垒层之间的c个第二量子垒层，a个第一量子垒层均为N型掺杂的GaN层，b个第三量子垒层均为P型掺杂的GaN层，c个第二量子垒层分别为N型掺杂的GaN层或P型掺杂的GaN层，且相邻两个第二量子垒层分别为不同掺杂的GaN层。该发光二极管外延片可以增加电子和空穴的波函数在空间分布上的重叠度，提高LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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