[发明专利]一种防滴液半导体自动刻蚀装置在审
| 申请号： | 202011065453.4 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112201595A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 温妖 | 申请（专利权）人： | 青田林心半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B1/00;B08B15/02;B08B17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 323900 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体相关领域，公开了一种防滴液半导体自动刻蚀装置，包括主箱体，主箱体内设有刻蚀腔，刻蚀腔后侧设有运输带轮腔，运输带轮腔前端壁和刻蚀腔后端壁之间连通设有连接块腔，运输带轮腔后侧设有传动带轮腔，通过雾化刻蚀液并使其均匀弥漫至半导体掩膜刻蚀槽内，避免因为刻蚀液用量不一而造成刻蚀程度不一的问题，保证了样品的良率，此外，通过设置刻蚀液处理机构，有效清除了凝结在刻蚀腔上壁的刻蚀液和掩膜上多余的刻蚀液，减少液滴滴落在样品上产生的刻蚀不均的情况，而且防止多余刻蚀液进入刻蚀槽而影响到刻蚀效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防滴液 半导体 自动 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青田林心半导体科技有限公司，未经青田林心半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011065453.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于人工智能的重症问诊数据识别方法及装置
- 下一篇：一种触控基板和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
