[发明专利]一种多层硅光子器件的制备方法有效
| 申请号： | 202011065943.4 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112285827B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多层硅光子器件的制备方法。多层硅光子器件的制备方法：步骤a：提供第一SOI片，在顶层硅上形成有源器件，然后沉积第一层间介质；步骤b：将第二SOI片键合在第一层间介质上，使第二SOI片的顶层硅与第一层间介质贴合，刻蚀去除第二SOI片的背衬底和埋氧化层，然后形成有源器件，再沉积第二层间介质；步骤c：重复步骤b，直至形成N层堆叠结构；步骤d：可选择性地进行后加工处理，形成多层硅光子器件。本发明采用键合的方法将SOI片的顶层单晶硅键合至硅光SOI器件片，键合完成后利用单晶硅的优势制备有源和低损耗无源器件，此方法可以多次键合制备多层低损耗硅基无源有源器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 光子 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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