[发明专利]高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备有效
| 申请号： | 202011066567.0 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN114335166B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 张栋梁;朱剑云;王行;解峰;谢荣华 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L29/808 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李木燕 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种高电子迁移率晶体管HEMT器件、晶圆、封装器件和电子设备，HEMT器件包括：衬底、氮化物外延层、栅极半导体结构、栅金属、源极结构和漏极结构；氮化物外延层设置在衬底上，栅极半导体结构、源极结构和漏极结构均设置在氮化物外延层的第一表面上；源极结构和漏极结构分布在栅极半导体结构两侧；栅极半导体结构包括第一半导体层和多个n型半导体，第一半导体层由p型氮化物生成且位于第一表面，多个n型半导体位于第一半导体层和栅金属之间，沿与栅宽方向平行的方向间隔排布。第一半导体层可以分别与多个n型半导体形成带正电的空间电荷区，以调节栅金属与栅极半导体结构的界面电场，从而抑制栅极泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 hemt 器件 晶圆 封装 电子设备 | ||
【主权项】：
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