[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011068749.1 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114334818A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 徐娟;任飞;肖芳元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片的部分顶面和侧壁形成有金属栅极；SDB隔离结构，位于相邻的金属栅极所在的鳍片之间，用于隔离相邻的金属栅极所在的鳍片。本申请所述的半导体结构及其形成方法，以第一掩膜层作为掩膜刻蚀形成第一沟槽，在所述第一沟槽中形成SDB隔离结构，可以提高SDB隔离结构的位置精度，减少SDB隔离结构侧壁的残渣，从而提高SDB隔离结构的质量，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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