[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011068757.6 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114334819A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 许亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/56;H01L27/088;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及位于所述若干鳍片顶面的硬掩膜层；在所述半导体衬底表面和所述若干鳍片侧壁原位形成保护层；在所述保护层表面以及所述硬掩膜层侧壁和顶面形成缓冲层；对所述若干鳍片进行退火工艺，所述退火工艺的退火气体包括氮气和氧气。本申请所述的半导体结构及其形成方法，一方面使用所述保护层来保护鳍片，另一方面降低退火工艺中氮气的含量，能够减少鳍片在工艺过程中受到的损伤，提高鳍片质量，从而提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
