[发明专利]一种DFB芯片的脊钝化方法在审
| 申请号： | 202011074200.3 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112164980A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱斌青;黄寓洋 | 申请（专利权）人： | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DFB芯片的脊钝化方法。所述方法包括：在基体表面沉积光学介质膜，沉积有光学介质膜的基体表面上具有至少一个脊槽和至少一个脊；在光学介质膜表面上涂覆第一光刻胶，形成第一光刻胶层，填平脊槽，之后对涂覆了第一光刻胶的基体进行固化；在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶，形成第二光刻胶层，通过光刻工艺在第二光刻胶层上形成贯穿第二光刻胶层的脊开孔图形，脊开孔图形的位置与脊的位置相对应；根据脊开孔图形，在基体上刻蚀出从上往下依次贯穿第一光刻胶层和光学介质膜层的脊开孔。本发明有效解决脊刻蚀过程中造成脊侧壁裸露的问题，进而避免了芯片漏电，提高了芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dfb 芯片 钝化 方法 | ||
【主权项】：
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