[发明专利]基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器及交叉阵列集成结构

摘要

本发明涉及一种基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器及交叉阵列集成结构，该光电耦合钙钛矿忆阻器包括：形成有MOSFET结构的1T1R底座和位于1T1R底座上的RRAM结构，其中，RRAM结构包括底电极、钙钛矿层、顶电极、透光绝缘层和Ga2O3层，底电极位于1T1R底座上且与MOSFET结构的漏极电连接；钙钛矿层位于底电极上；顶电极位于钙钛矿层上；透光绝缘层位于钙钛矿层上且与顶电极相接触；Ga2O3层设置在透光绝缘层上。该光电耦合忆阻器不仅可以通过不同光信号改变自身阻值，实现信息的写入与存储，并通过施加负电脉冲实现信息的擦除，还可以作为单个忆阻器运用到人工神经网络的运算与非易失性状态逻辑运算当中。