[发明专利]场发射阴极及其制备方法在审
| 申请号： | 202011075453.2 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112053925A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 洪序达;梁栋;郑海荣 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种场发射阴极，其包括导电基板以及形成在所述导电基板上的Ti |
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| 搜索关键词： | 发射 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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