[发明专利]一种沟槽型肖特基二极管器件在审
| 申请号： | 202011076765.5 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112271220A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江 | 申请（专利权）人： | 倪炜江 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种沟槽型肖特基二极管器件，所述器件的有源区有多个原胞并联而成，在一个基本原胞中，包括处于正交排列的沟槽与p+层，即所述沟槽与所述p+层的方向是垂直的；在一个原胞中，沿着垂直于纸面的纵深方向依次为结构A和结构B，其中，所述结构A为纯沟槽肖特基二极管结构，所述结构B为pn二极管结构。对于n型导电器件，本发明器件原胞中通过相反类型的掺杂形成p+区与沟槽的正交形式的排列，实现对沟槽和肖特基接触的电场屏蔽，降低器件的反偏漏电流。同时通过沟槽内及台面上的不同势垒的肖特基接触，降低器件的开启电压和导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 型肖特基 二极管 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于倪炜江，未经倪炜江许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011076765.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
