[发明专利]包括重分布层的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202011079084.4 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN113053848A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金胜桓;徐铉哲;崔亨硕;朴信映 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 包括重分布层的半导体装置及其制造方法。一种半导体存储器装置包括：下部结构；重分布绝缘层，该重分布绝缘层设置在下部结构上方；重分布导电层，该重分布导电层设置在重分布绝缘层上方并电连接到下部结构的一部分，重分布导电层包括重分布焊盘；以及保护层，该保护层覆盖重分布绝缘层和重分布导电层，并且使重分布焊盘暴露。重分布导电层包括与重分布焊盘相邻设置的沟槽，并且保护层的一部分填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 分布 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011079084.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
