[发明专利]一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片在审

专利信息
申请号: 202011082181.9 申请日: 2020-10-12
公开(公告)号: CN112217088A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 刘刚明;张靖;郭洪;段利华;田坤;张圆圆;杨帆 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01S3/0941 分类号: H01S3/0941;H01S5/20;H01S5/343
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 王海军
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于光电器件领域,特别涉及一种808nm波段内置光栅泵浦源芯片,该芯片外延结构是在GaAs衬底上从下到上依次生长有第一外延层、第二外延层、第三外延层,且芯片的光栅结构为含有稳定波长掩埋光栅层;含有稳定波长掩埋光栅层包括一阶或多阶的至少包括两个周期的光栅结构构成;掩埋光栅层采用离子注入、隔离膜阻挡或反向PN结阻挡的方式减小注入电流密度或没有电流注入;本发明通过两种及其以上周期的内置光栅进行波长锁定,或者一种内置光栅加上一种或多种外置光栅进行波长锁定,根据不同温度条件,输出激光在单一芯片上实现了两种及以上的波长输出。
搜索关键词: 一种 808 nm 波段 内置 光栅 泵浦源 芯片
【主权项】:
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