[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011082943.5 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN114067863A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 线怀鑫;周阳;孟庆超 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件包括彼此耦合的主锁存器、从锁存器和保持锁存器。保持锁存器包括第一有源区域和第二有源区域、第一栅极结构和第二栅极结构。第一有源区域和第二有源区域在第一方向上延伸。第一栅极结构在第二方向上延伸，第一栅极结构包括彼此分离的第一部分和第二部分。第一部分布置在第一有源区域之上，并且第二部分布置在第二有源区域之上。第二栅极结构在第二方向上延伸，并布置在第一有源区域之上。在布局图中，第二栅极结构与第二有源区域和第一栅极结构分离。第二有源区域的端部部分在第一栅极结构和第二栅极结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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