[发明专利]可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件有效
| 申请号： | 202011084999.4 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112289865B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;徐鹏;吕元杰;顾国栋;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可偏置混频肖特基二极管结构及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括第一金属电极、和第二金属电极，所述第二金属电极分隔为上分电极和下分电极，第一肖特基结连接在所述第一金属电极和所述上分电极之间，第二肖特基结反向并联在所述第一金属电极和所述下分电极之间。本发明提供的可偏置混频肖特基二极管结构，采用两个肖特基结反向并联的形式，肖特基结一端与同一个金属电极连接，另一端连接两个不相连的金属电极，这样可以对二极管进行偏置，从而降低混频器对本振功率的需求，降低本振源的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 混频 肖特基 二极管 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
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