[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池在审
申请号: | 202011085099.1 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN114420767A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 陈海燕;邓伟伟;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 段友强 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池,所述制备方法包括对硅基底进行表面处理后,进行正面扩散;再于硅基底的背面依次制备隧穿层与非晶硅层;然后进行去绕镀,清洗去除绕镀的非晶硅,并保留所述硅基底正面的BSG层;高温退火后进行表面清洗,去除BSG层,再依次进行镀膜与金属化,得到相应的太阳能电池。上述制备方法在高温退火前进行去绕镀清洗,所述非晶硅层未经高温处理,绕镀的非晶硅较容易去除;并且,将BSG层保留至高温退火之后再进行清洗,有效避免扩散层受损,减少产线异常。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的