[发明专利]QLC NAND的编码方法与编码装置在审
| 申请号： | 202011085907.4 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112214172A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈磊;邢冀鹏;吴彬 | 申请（专利权）人： | 北京泽石科技有限公司;泽石科技（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 100085 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种QLC NAND的编码方法与编码装置。QLC NAND包括字线和多个编解码单元，字线包括多个页，多个页包括低位页、中间位页、高位页和最高位页，编码方法包括：将各编解码单元拆分为四个部分，分别为第一编解码单元、第二编解码单元、第三编解码单元和第四编解码单元；将第一编解码单元分布在低位页中，将第二编解码单元分布在中间位页中，将第三编解码单元分布在高位页中，将第四编解码单元分布在最高位页中。本方案通过将编解码单元拆分为四个部分，然后将各部分分布在对应的页中，使得任意两个页的数据出错比例近似相等，进而延长了NAND闪存介质的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | qlc nand 编码 方法 装置 | ||
【主权项】：
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