[发明专利]半导体工艺设备及其阻抗调节方法在审
申请号: | 202011089005.8 | 申请日: | 2020-10-13 |
公开(公告)号: | CN112259491A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
发明(设计)人: | 叶华 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种半导体工艺设备及其阻抗调节方法,该半导体工艺设备包括工艺腔室、阻抗匹配器和射频电源,工艺腔室中设置有卡盘装置,其包括基座和设置在基座上,用于承载被加工工件的介质层,介质层中设置有射频电极,射频电极通过阻抗匹配器与射频电源电连接;基座通过接地结构接地,半导体工艺设备还包括阻抗调节电路,阻抗调节电路一端与基座的电连接,另一端接地,阻抗调节电路用于调节阻抗匹配器的输出端与接地结构的接地端之间的实际阻抗值,以使其与预设的标准阻抗值一致。本发明实施例提供的半导体工艺设备及其阻抗调节方法,可以使不同腔室间的腔室阻抗一致,从而可以在同一设计和工艺条件下,确保不同腔室间的工艺性能匹配。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 及其 阻抗 调节 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造