[发明专利]一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的方法及装置有效
| 申请号： | 202011089251.3 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112522780B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李帅;刘耀华;冯琳琳;秦莉 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B25/12;C30B25/16;C30B25/18;C30B28/14;C30B29/02 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 刘德顺 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在碳化硅衬底上外延生长石墨烯的方法及装置，该方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放入石墨板上，石墨板位于坩埚内，将所述坩埚置于加热炉内；(2)使用电子束将坩埚加热至2000℃以上，加热的时间为5～15min，使碳化硅衬底的表面平整化；(3)控制加热炉的温度为1300～1600℃，使碳化硅衬底表面形成石墨烯层。通过使用电子束加热坩埚，使坩埚的瞬时温度达到2000℃以上，坩埚向内部的碳化硅衬底传递热量，使得碳化硅衬底表面的杂质和部分硅源碳源升华，使其表面平整化，从而改善了石墨烯基层的形成质量，避免了氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅元素严重减少的问题，提高了石墨烯的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 衬底 外延 生长 石墨 方法 装置 | ||
【主权项】：
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