[发明专利]半导体清洗设备及清洗介质温度控制方法在审
| 申请号： | 202011089379.X | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112259472A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 巫双;张明;赵曾男 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体清洗设备，包括工艺槽、加热组件、制冷组件、测温件、控制器，测温件用于测量工艺槽中清洗介质的实际温度；控制器用于在其实际温度大于等于预设的制冷开启温度时，开启制冷组件；在实际温度小于预设的制冷关闭温度时，关闭制冷组件，并开启加热组件；在清洗介质的实际温度大于等于预设的目标工艺温度时，关闭加热组件；其中，制冷开启温度大于目标工艺温度，目标工艺温度大于制冷关闭温度。在本发明中，控制器能够在工艺腔室中的流体温度过高时，开启制冷组件，通过制冷组件对工艺腔室中的流体进行快速降温，提高了半导体清洗设备对工艺腔室中流体温度控制的精度和可靠性。本发明还提供一种清洗介质温度控制方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 清洗 设备 介质 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011089379.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
