[发明专利]半导体结构及电子设备在审
| 申请号： | 202011089805.X | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114361249A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 郑磬镐;项金娟;李亭亭;王晓磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构及电子设备。该半导体结构包括：衬底层；界面氧化物层，位于所述衬底层上；第一金属栅层，位于所述界面氧化物层上；第二金属栅层，位于所述第一金属栅层上；其中，所述第一金属栅层为具有掺杂剂粒子的金属栅层。本申请实施例提供的半导体结构，采用金属栅极叠层结构，整个半导体结构的工艺变化少；采用金属栅极材料电阻稳定无变化；晶体管特性的调整自由度大大增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电子设备 | ||
【主权项】：
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