[发明专利]MOS晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202011093599.X | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111933693B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 郑大燮 | 申请（专利权）人： | 南京晶驱集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 210046 江苏省南京市栖霞区迈*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法，在第一导电类型的源/漏区中形成了第二导电类型的反型掺杂区，所述源/漏区横向扩散至与栅极发生交叠，所述反型掺杂区横向扩散的边界不超过所述栅极的侧壁，纵向扩散的底部边界和所述源/漏区的底部边界具有第一垂直距离，所述反型掺杂区纵向扩散的顶部边界与所述源/漏区的顶部边界有第二垂直距离，能够降低晶体管的漏电流并提高其击穿电压。本发明的MOS晶体管的制造方法，工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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