[发明专利]一种原位蒸镀的弱等离子刻蚀设备在审
申请号: | 202011094851.9 | 申请日: | 2020-10-14 |
公开(公告)号: | CN112103168A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 金炯;李存鑫;王福清 | 申请(专利权)人: | 浙江赛威科光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C14/24 |
代理公司: | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人: | 张亚娟 |
地址: | 313000 浙江省湖州市德*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种原位蒸镀的弱等离子刻蚀设备,包括刻蚀腔体、弱等离子放射机构、真空机构、冷阱机构、样品托以及驱动机构,刻蚀腔体连接在拉曼光谱检测蒸发室下方,样品托位于刻蚀腔体内,驱动机构驱动样品托在竖直方向上运动以使样品托靠近或远离拉曼光谱检测蒸发室,弱等离子放射机构包括导轨、射频罩、石英玻璃管以及放气电磁阀组件,石英玻璃管两端均设有支架,射频罩内包括有缠绕在石英玻璃管上的射频绕线以及支撑射频绕线的支撑板,放气电磁阀组件连接在石英玻璃管一端,放气电磁阀组件与石英玻璃管以及刻蚀腔体均相通且构成一个放射通道,放气电磁阀组件用于将工艺气体通入石英玻璃管内;本发明优点在于能够控制刻蚀速度实现原子层厚度。 | ||
搜索关键词: | 一种 原位 等离子 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
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