[发明专利]一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法有效

专利信息
申请号: 202011095266.0 申请日: 2020-10-14
公开(公告)号: CN112323143B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 陈翔;熊云海;曾海波;邹友生;宋秀峰;许多 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: C30B25/00 分类号: C30B25/00;C30B29/16;C30B29/64;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京绘聚高科知识产权代理事务所(普通合伙) 11832 代理人: 郭士磊
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法,包括:将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀,得到第一混合料;将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内;将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内;使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa~185Pa的第一惰性气体;对所述第一温区进行加热,对所述第二温区进行加热,将氩气和氧气以110~130:30~60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片,并且这种方法在175Pa~185Pa的压强下进行,制备方法安全简单。
搜索关键词: 一种 化学 沉积 制备 二维 氧化 纳米 方法
【主权项】:
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