[发明专利]一种N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202011095769.8 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112420880A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张小明;林纲正;盛健;解观超;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0747;H01L21/268;H01L21/263 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰;何键云 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型单晶硅HBC太阳能电池的制备方法，包括：一、对N型单晶硅片进行预处理，形成第一本征非晶硅层、减反层、第二本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和隔离层；二、采用激光来刻蚀隔离层形成第一隔离槽；三、将N型单晶硅裸露出来，形成第二隔离槽；四、除去剩余的隔离层，将第一掺杂非晶硅层裸露出来；五、在第二隔离槽的N型单晶硅片上依次形成第三本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；六、在第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层上形成透明导电膜层；七、对透明导电膜层进行刻蚀形成第三隔离槽；八、在第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层的透明导电膜层上分别形成金属电极。本发明工艺简单，成本低，良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 hbc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
