[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202011095833.2 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112824482A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 柳浩成 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;田英爱 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 蚀刻 溶液 使用 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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