[发明专利]背照式图像传感器的制造方法

摘要

本申请公开了一种背照式图像传感器的制造方法，涉及半导体制造领域。该背照式图像传感器的制造方法包括在衬底上定义像素单元，像素单元包括MOS管区域和光电二极管区域；在光电二极管区域对应的衬底内形成阱区，阱区的导电类型与衬底的导电类型相反；在MOS管区域形成传输栅极；在光电二极管区域对应的衬底表面形成增反层，增反层的折射率大于衬底的折射率，增反层的厚度为四分之一红光波长；形成层间介质层，层间介质层的折射率小于增反层的折射率；解决了目前一些背照式图像传感器的红光光子效率不高的问题；达到了提高背照式图像传感器的红光光子效率的效果。