[发明专利]晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系有效

专利信息
申请号: 202011101538.3 申请日: 2020-10-14
公开(公告)号: CN112251137B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 惠浩浩;雷向阳;杨伟;邓雪然;王天宇;张帅;苏文虎;马红菊;张剑锋;张利平;张清华 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 吕露
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 本申请涉及激光材料领域,具体而言,涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。晶体涂膜元件包括:晶体基底;覆盖于所述晶体基底的匹配膜,所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO2的混合物;以及覆盖于所述匹配膜的减反膜,所述减反膜的材料包括SiO2;聚甲基硅氧烷与SiO2混合后固化形成匹配膜,聚甲基硅氧烷成膜时附着在晶体表面,其有机链状柔性结构有助于抑制晶体热膨胀造成的膜裂效应;SiO2颗粒的引入可提高匹配膜的力学性能和热稳定性;使得到的匹配膜的热膨胀系数介于晶体基底与减反膜之间,形成物化性质较佳的匹配膜,改善减反膜易龟裂的问题。
搜索关键词: 晶体 元件 及其 制备 方法
【主权项】:
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