[发明专利]一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路在审

专利信息
申请号: 202011102001.9 申请日: 2020-10-15
公开(公告)号: CN112436725A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 申请(专利权)人: 北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H03F1/34
代理公司: 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 代理人: 王牌
地址: 100000 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路,用于驱动被驱动功率MOSFET(Q1),被驱动功率MOSFET(Q1)通过驱动芯片作开关动作,包括一驱动管(Q2);通过驱动管(Q2)的跨导增益,经过被驱动功率MOSFET(Q1)内部寄生电阻,产生位移电流,对被驱动功率MOSFET(Q1)的寄生输入电容充放电,基于跨导增益构建负反馈调节机制,在外界干扰下,控制栅源电压保持稳定,同时抑制栅源电压正向和负向电压发散振荡。
搜索关键词: 一种 基于 增益 负反馈 机理 电压 扰动 抑制 电路
【主权项】:
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