[发明专利]MZ电光调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011102020.1 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112162446A | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 周悦;毕大炜;吴龙生;武爱民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02F1/21 | 分类号： | G02F1/21;G02F1/015 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明提供一种MZ电光调制器及其制备方法，MZ电光调制器包括从下至上的硅衬底、埋氧层、辐射加固层、硅层及氧化硅层；本发明将掺杂离子注入埋氧层中形成辐射加固层，以在辐射加固层中产生大量电子陷阱，从而可俘获电子，以补偿由于高能电离辐射所导致的Si/SiO |
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| 搜索关键词： | mz 电光 调制器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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