[发明专利]一种GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011102155.8 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN114374146A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 赵凯迪;朱振;邓桃 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/20;H01S5/04;H01S5/34 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种GaAs基915nm/976nm大功率双波长激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。本发明以CBr |
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| 搜索关键词： | 一种 gaas 915 nm 976 大功率 波长 激光器 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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