[发明专利]一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法有效
| 申请号： | 202011102502.7 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112434401B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/30;G06F17/15 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 电压 响应 高频 脉冲 干扰 方法 | ||
【主权项】：
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