[发明专利]一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法、氮化硅陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202011103898.7 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112209725B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 樊磊;高卡;丁云鹏;高阳;杨守磊;白中义;高前程;郭晓琴;张锐 | 申请（专利权）人： | 郑州航空工业管理学院 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/584 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 胡云飞 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于氮化硅陶瓷技术领域，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，还涉及一种氮化硅陶瓷及其制备方法。本发明的氮化硅陶瓷烧结的前处理方法，包括以下步骤：在烧结容器中，将氮化硅坯体包埋入氮化硅粉体中，然后在氮化硅粉体表面覆盖盖板，之后在盖板上平铺二氧化硅粉；所述盖板为惰性耐火陶瓷板。本发明的前处理方法有效避免了氮化硅陶瓷在空气气氛烧结中的氧化，也可有效减少氮化硅埋粉的氧化，实现了氮化硅陶瓷在空气气氛中的烧结；并且所用氮化硅埋粉和二氧化硅粉容易分离，且可反复多次复用，可大幅降低埋粉消耗，减少成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 陶瓷 烧结 处理 方法 及其 制备 | ||
【主权项】：
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