[发明专利]一种半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011106406.X | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112018081B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张国伟;许宗能;王建智 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：基板；导线层，位于所述基板上；介质层，位于所述导线层上；第一沟槽，位于所述介质层中；第二沟槽，位于所述第一沟槽上，所述第二沟槽与所述第一沟槽连通，所述第二沟槽的顶端开口的口径大于所述第一沟槽的顶端开口的口径；阻挡层，位于所述介质层和所述导线层上；金属层，位于所述阻挡层上，且所述金属层位于所述第一沟槽和所述第二沟槽内；多个保护层，位于所述金属层上；凹口，位于所述多个保护层中，且所述凹口位于所述金属层中。本发明能有效改善所述凹口的侧壁会有杂质残留的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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